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四探针测试仪:测量硅材料电阻率与方阻挺合适

四探针电阻率测试仪
四探针电阻率测试仪

无论是硅晶圆的制造,还是薄膜材料的应用,掌握材料的电阻率和方阻是进行有效设计和优化的基础。

电阻率和方阻的定义

电阻率是描述材料电阻特性的物理量,它反映了材料内部电子和空穴的浓度,与材料的尺寸和形状无关。

方阻,即方块电阻,是薄膜材料单位面积上的电阻。它对于MEMS器件的设计尤为重要,因为它直接影响器件的电学性能。

在实际测量中,我们根据测量需求选择合适的参数。例如,在硅晶圆或绝缘体上硅(SOI)的规格书中,电阻率是表征其基本电学参数的关键指标。而对于薄膜材料,方阻的使用则使电学设计更为简便。

苏州同创电子有限公司的四探针测试仪系列,正是为了满足这类测量需求而设计。四探针法是高效测量半导体材料电阻率和方阻的方法,通过四个探针与材料表面接触,消除接触电阻的影响,从而实现高精度的测量。这种方法特别适用于测量薄层材料的方阻,为半导体材料的研发和应用提供支持。

以苏州同创电子的SZT-4数字式四探针测试仪为例,它具备二量程的电阻测量功能,适用于测量片状、柱状或块状半导体材料的电阻率。通过对恒流源的调整,可以对测量结果进行修正,以获得更准确的电学参数。SZT-4还具备手持式测试头或座式测试架,方便在不同场景使用。

如果您对我们的产品感兴趣,或希望了解更多关于半导体材料测量的信息,欢迎随时联系我们。我们的专业团队将为您提供详细的产品信息和定制化的解决方案。


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